近日，根据韩媒ETNews的消息，三星电子AVP先进封装部门正在开发面向AI半导体芯片的“3.3D”先进封装技术。

根据目前放出的消息，这一封装技术将GPU垂直堆叠在LCC（即SRAM缓存）上，两部分键合为一体，类似于三星电子现有X-Cube 3D IC封装技术。

而在GPU+LCC缓存整体与HBM的互联中，3.3D封装技术将GPU+LCC和HBM位于铜RDL重布线中介层上，用硅桥芯片实现裸晶之间的直接连接，而铜RDL 重布线层又位于载板上方。

根据三星方面消息，该设计能够在不牺牲芯片设计的前提下，相较完全使用硅中介层的方案，降低22%的生产成本。

该技术有望在2026年第二季度实现量产。

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