近日，北京(国际)第三代半导体创新发展论坛在中关村国家自主创新示范区展示中心举行。科学技术部党组成员、副部长相里斌表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在新能源汽车、信息通讯、智能电网等领域有巨大的市场。

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年以来，在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2021年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现总产值达127亿元，较2020年增长20.4%。

其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%，较前两年稍有放缓。

第三代半导体已经写入“十四五”规划。根据CASA的预测，在国家政策的支持和下游需求增长的背景下，预计未来五年，我国SiC、GaN电力电子器件应用市场将以45%的年复合增长率增长至2027年的超660亿元;GaN微波射频器件市场规模将以22%的年均复合增长率增长至2027年的超240亿元。2027年第三代半导体整体市场规模有望超过900亿元。

中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇认为，以化合物半导体材料，特别是第三代半导体材料为代表的半导体新材料快速崛起，未来10年将对国际半导体产业发展产生至关重要的影响。半导体产业的全球化属性是不可改变的，创新对半导体行业尤为重要，加强技术研究和原始创新，实现关键核心技术突破，以创新驱动产业高质量发展，同时要坚持加强全球产业链供应链的协作，仍是半导体产业发展的重要路径。

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