今日，有消息称，高通与长鑫存储正合作推进智能手机定制化移动DRAM项目。

对此，天风国际郭明錤表示，双方联合兆易创新开发独立NPU模块，集成长鑫4GB 3D DRAM，计划2026年末至2027年初量产，主攻4000-4500元档中国品牌机型。

据了解，该NPU算力达40TOPS，搭载长鑫采用TSV和混合键合堆叠工艺的3D DRAM，内存带宽超越当前LPDDR5X标准。独立设计使NPU脱离SoC功耗限制，可稳定运行实时视频翻译、后台图像生成等长时间AI任务，理论上让旗舰机AI算力翻倍。

不过郭明錤提醒，项目进度已落后于2025年上半年预期，主因是内存涨价推高成本，且端侧AI应用场景与盈利模式仍不清晰，未来市场表现存在变数。

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