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导读：很多朋友不知道芯片电容中的超级电容器芯片制作方法，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答电容的制作方法简介。

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超级电容器芯片的制作方法简介②

4.如权利要求1中所述的超级电容器芯片的制备方法，其特征在于：步骤S3中所述正电极/负电极包括碳基材料、RuO 2 、NiO、Co 3 O 4 、MnO 2 、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩中的任一种。5.如权利要求1中所述的超级电容器芯片的制备方法， 其特征在于： 步骤S3中所述固态/准固态电解质包括PEO/LiCl、PVA/KOH+H 2 O、Li 2 S-P 2 S 5 PAAK/KOH+H 2O、PEO/KOH+H 2 O、PVA/H 2SO 4 、PVA/H 3 PO 4、PVA/LiCl中的任一种。6.如权利要求1中所述的超级电容器芯片的制备方法，其特征在于：步骤S4中所述封装膜的材料包括聚二甲基硅氧烷，所述聚二甲基硅氧烷通过对所述多层膜进行包覆以实现封装保护。7.一种超级电容器芯片，其特征在于：所述超级电容器芯片可利用如上述权利要求1-6中所述的超级电容器芯片的制备方法得到，所述超级电容器芯片包括在衬底上依次形成的两个独立设置的集流体、正电极、固态/准固态电解质膜及负电极，其中，两个集流体分别电连接至所述导电线路，其中一集流与正电极电接触，另一集流体与负电极电接触，所述固态/准固态电解质膜设于所述正电极与所述负电极之间；所述衬底的材料为PET，所述集流体的材料为金属铜， 所述正电极的材料为碳， 所述固态/准固态电解质膜的材料为PEO/LiCl，所述负电极的材料为碳，所述封装膜的材料为聚二甲基硅氧烷。8.一种超级电容器，其特征在于：所述超级电容器利用多个如上述权利要求7中所述的超级电容器芯片进行串联或并联得到，且多个所述超级电容器芯片之间呈阵列分布。9.如权利要求8中所述的超级电容器，其特征在于： 所述导电线路包括引线和金手指，每一所述超级电容器芯片的所述正电极/负电极上均设有所述引线，所述金手指设于所述超级电容器阵列线路集中的一端，所述引线汇集至所述金手指处并与所述金手指连通。10.如权利要求9中所述的超级电容器，其特征在于： 所述超级电容器还包括电路控制模块，所述电路控制模块包括电芯阵列金手指端和用能端插拔口 ，所述用能端插拔口位于电路控制模块远离所述超级电容器的一侧，所述用能端插拔口可插拔，通过对所述用能端插拔口的插拔可实现所述电路控制模块对所述超级电容器的控制。

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型号：C12-40-25V-222
容值/容差：2200pF / ±20%
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型号：C12-20-100V-220
容值/容差：22pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥100G@100V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：0.508*0.508*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

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